NTE5539 & NTE5540 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 55 Amps
Features: D High Voltage Capability D High Surge Capability D Glass Passivated Chip Electrical Characteristics: (TA = +25C, 60Hz, Resistive load unless otherwise specified) Repetitive Peak Off-State Forward & Reverse Voltage, VDRM, VRRM NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V Maximum RMS On-State Current, IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55A Average On-State Current, IT(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35A DC Gate Trigger Current (VD = 12V, RL = 30), IGT Minimum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mA Maximum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40mA Maximum Peak Off-State Forward & Reverse Current (At rated VDRM, VRRM), IDRM, IRRM (TC = +25C) NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A (TC = +100C) NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0mA NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5mA (TC = +125C) NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0mA NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0mA Peak On-State Voltage (IT(RMS) = 55A, TC = +25C), VTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8V Maximum DC Gate Trigger Voltage (TC = +25C, VD = 12V, RL = 30), VGT . . . . . . . . . . . . . . 1.5V Minimum DC Gate Trigger Voltage (TC = +125C, VD = 12V, RL = 30), VGT . . . . . . . . . . . . . . 0.2V Maximum DC Holding Current (Gate Open, Initial On-State Current = 400mA(DC)), IH . . . . 60mA Peak Gate Current (Pulse Width 10s), IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A Peak Gate Power Dissipation (Pulse Width 10s), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W Average Gate Power Dissipation, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mW Peak One Cycle Surge Forward Current, ITSM 50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550A 60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 650A Minimum Critical Rate-of-Applied Forward Voltage, dv/dt (TC = +100C) NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 650V/s NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V/s (TC = +125C) NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550V/s NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 475V/s
Electrical Characteristics (Cont'd): (TA = +25C, 60Hz, Resistive load unless otherwise specified) RMS Surge (Non-Repetitive) On-State Current for Fusing (8.3ms), I2t . . . . . . . . . . . . . . 1750A2sec Maximum Rate-of-Change of On-State Current (IGT = 150mA, tr = 0.1s), di/dt . . . . . . . 175A/s Gate Controlled Turn-On Time (Gate Pulse = 150mA, Min Width = 15s, tr 0.1s), tgt . . . 2.5s Circuit Commutated Turn-Off Time (Note 1), tq . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35s Operating Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40 to +125C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40 to +125C Lead Temperature (During Soldering, 1/16" from case, 10sec max), TL . . . . . . . . . . . . . . . . . +230C Note 1. iT = 2A, Pulse Duration = 50s, dv/dt = 20V/s, di/dt = -30A/s, IGT = 200mA at Turn-On
.600 (15.24)
.060 (1.52) .173 (4.4)
A .156 (3.96) Dia. K A G .550 (13.97)
.430 (10.92)
.500 (12.7) Min .055 (1.4) .015 (0.39)
.215 (5.45)
NOTE: Dotted line indicates that case may have square corners.
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